收藏本站
IXFH160N15T
24
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 2 Ω
24
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
22
V GS = 15V
22
20
V DS = 75V
20
R G = 2 Ω
T J = 25oC
V GS = 15V
18
18
V DS = 75V
16
I
D
= 40A
16
14
14
I
D
= 80A
12
10
12
10
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
45
50
55
60
65
70
75
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
42
27
40
110
38
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
26
36
t f
R G = 2 Ω ,
t d(off) - - - -
V GS = 15V
100
34
V DS = 75V
25
V DS = 75V
30
I D = 80A, 40A
24
32
90
26
22
23
22
28
24
I D = 80A
I D = 40A
80
70
18
21
20
60
14
20
10
19
16
50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
110
110
260
36
32
T J = 25oC
t f t d(off) - - - -
R G = 2 Ω , V GS = 15V
V DS = 75V
100
90
100
90
80
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 75V
I
D
= 40A
240
220
200
70
180
28
T J = 125oC
80
60
I
D
= 80A
160
50
140
24
20
16
T J = 25oC
T J = 125oC
70
60
50
40
30
20
10
120
100
80
60
40
45
50
55
60
65
70
75
80
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_160N15T(8W)06-07-07
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH16N90Q MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
IXFH20N100P MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
IXFH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXFH22N55 MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
IXFH22N60P MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
IXFH230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO-247
IXFH230N10T MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
IXFH24N50Q MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
相关代理商/技术参数
IXFH160N15T2 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N120P 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N50P 功能描述:MOSFET 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N80P 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH16N90 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFH16N90Q 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH170N10P 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube